12月9日消息，据媒体报道，三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术，并已开始将该技术转移到大规模生产线。这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士。三星计划在2025年国际固态电路...